主要優(yōu)點(diǎn)：熱性好、工作區(qū)大。7、IGBT功率模塊臺(tái)灣省FF50R12RT4,型號(hào)大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF50R12RT4,型號(hào)大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF50R12RT4,型號(hào)大量現(xiàn)貨FF50R12RT4FF50R12RT4FF50R12RT4IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖檢測(cè)5、超快速IGBT模塊簡(jiǎn)介臺(tái)灣省FF50R12RT4,型號(hào)大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF50R12RT4,型號(hào)大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF50R12RT4,型號(hào)大量現(xiàn)貨任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用　表?yè)茉赗×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。FF50R12RT4